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分立半导体
STGW28IH125DF参考图片

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STGW28IH125DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
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库存:6,997(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.3464
35.3464
10
¥30.0467
300.467
100
¥26.0465
2604.65
250
¥24.747
6186.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.25 kV
集电极—射极饱和电压
2.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW28IH125DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW28IH125DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 75V 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:29347
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN TRANS TO-126
1:¥4.8364
10:¥3.955
100:¥2.4182
1,000:¥1.8645
参考库存:3859
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K 10K
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:48636
分立半导体
桥式整流器 GBU GPP 25A 1000V Rect. Bridge Diode
1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:2343
分立半导体
稳压二极管 500mW 9.7V Zener
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:21550
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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