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分立半导体
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STGB20NB41LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
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数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.0576
5514.4
1,000
¥16.6788
16678.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
12 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB20NB41LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 660 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20NB41LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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6,000:查看
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500:¥0.49155
2,500:¥0.27685
5,000:查看
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10,000:¥0.20792
30,000:¥0.1921
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:48595
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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