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分立半导体
STGW20NC60V参考图片

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STGW20NC60V

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp
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库存:6,149(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.4991
38.4991
10
¥32.7361
327.361
100
¥28.3517
2835.17
250
¥26.894
6723.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW20NC60V
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW20NC60V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥58.8617
10:¥53.1778
25:¥50.7144
100:¥44.0248
参考库存:2523
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
500:¥14.0572
参考库存:12185
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
参考库存:18132
分立半导体
MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm
1:¥14.5205
3,000:¥14.5205
参考库存:24224
分立半导体
MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
2,500:¥9.5259
参考库存:41986
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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