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分立半导体
STF80N10F7参考图片

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STF80N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 0.0085 Ohm typ 40A STripFET VII
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库存:8,078(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.9783
17.9783
10
¥15.2889
152.889
100
¥12.2153
1221.53
500
¥10.6785
5339.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STF80N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STF80N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
3,000:¥7.4693
6,000:¥7.1868
9,000:¥6.9156
参考库存:36594
分立半导体
整流器 200mA 3000V
15,000:¥1.2091
参考库存:36599
分立半导体
双向可控硅 Overvoltage Triac Low <10mA 1500 rms
1:¥16.2946
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:6893
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.17628
参考库存:36606
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥289.2235
250:¥264.3296
参考库存:36611
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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