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分立半导体
BUL1203E参考图片

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BUL1203E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) N Ch 75V 3.5m 120A Pwr MOSFET
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库存:13,041(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.9043
3452.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
550 V
集电极—基极电压 VCBO
1.2 kV
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL1203E
高度
9.15 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.6 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
100000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,BUL1203E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
1:¥712.2277
5:¥703.2442
10:¥667.6605
25:¥636.5403
参考库存:3131
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥5.8986
参考库存:12808
分立半导体
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
1:¥80.1396
10:¥72.3878
25:¥69.0769
100:¥59.9352
250:¥57.2458
参考库存:2990
分立半导体
桥式整流器 RECOMMENDED ALT 78-VBT3045BP-M3/8W
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.4297
800:¥5.0737
参考库存:13562
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=1A
1:¥5.1528
10:¥3.8307
100:¥2.6103
1,000:¥1.808
5,000:¥1.5481
参考库存:60844
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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