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分立半导体
STGFW30H65FB参考图片

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STGFW30H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
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库存:50,376(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥15.6731
9403.86
1,200
¥13.221
15865.2
3,000
¥12.5204
37561.2
5,400
¥12.0684
65169.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
58 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW30H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STGFW30H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600V 4A IF TO-220AC 25A IFSM
1:¥6.6896
10:¥5.4014
100:¥4.1019
500:¥3.39
800:¥2.712
参考库存:31668
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.4578
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
参考库存:14848
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
1:¥4.9946
10:¥3.955
100:¥2.9945
500:¥2.486
1,500:¥1.7967
4,500:查看
参考库存:31675
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:23755
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
1:¥9.6841
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.2658
参考库存:31682
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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