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分立半导体
STP13NM60N参考图片

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STP13NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
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库存:7,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.1257
28.1257
10
¥23.8995
238.995
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP13NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP13NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
1:¥24.8939
10:¥23.7413
100:¥19.1309
500:¥15.0629
3,000:¥11.3678
6,000:查看
参考库存:59051
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
1:¥3.4578
10:¥2.5877
100:¥1.921
500:¥1.5707
3,000:¥1.11418
6,000:查看
参考库存:148068
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
参考库存:3665
分立半导体
整流器 Dual 2x15A 600V FRED Pt AEC-Q101
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
2,000:¥7.8422
参考库存:13807
分立半导体
MOSFET Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
1:¥6.9947
10:¥5.9438
100:¥4.5652
500:¥4.0341
2,500:¥2.825
10,000:查看
参考库存:15214
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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