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分立半导体
STGW40H65DFB参考图片

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STGW40H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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库存:5,042(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.4252
29.4252
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H65DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
参考库存:12912
分立半导体
双向可控硅 4.0 Amp 600 Volt
1:¥8.7575
10:¥7.4693
100:¥5.7404
500:¥5.0737
参考库存:15864
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr 6A Io SBD TO-252(DPAK) 3A IF
1:¥6.6105
10:¥5.7065
100:¥4.3844
500:¥3.8759
1,000:¥3.0623
2,500:¥2.712
参考库存:29966
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V power Schottky silicon-carbide diode
1:¥79.6876
10:¥72.0036
25:¥68.6136
100:¥59.6301
参考库存:29868
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥568.6951
5:¥551.4061
10:¥534.1962
25:¥510.0594
参考库存:5220
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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