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分立半导体
STGB20V60DF参考图片

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STGB20V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
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数量单价合计
1
¥23.5944
23.5944
10
¥20.0575
200.575
100
¥17.3681
1736.81
250
¥16.4415
4110.375
1,000
¥12.4526
12452.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB20V60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 90 Volt Single
1:¥6.9156
10:¥6.0681
25:¥5.5144
100:¥4.7912
800:¥3.4465
参考库存:46456
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 12A
1,000:¥48.7143
参考库存:46461
分立半导体
整流器 Ultrafast rectifier 5A / 600V / 20ns
1:¥7.91
10:¥7.2207
100:¥5.5822
500:¥4.1358
800:¥3.0623
2,400:¥2.9945
参考库存:46466
分立半导体
整流器 1A,1000V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1:¥2.9154
10:¥2.3052
100:¥1.5707
500:¥1.07576
5,000:¥0.72207
10,000:查看
参考库存:46471
分立半导体
整流器 10A, 100V, 35NS, DUAL RECTIFIER
1:¥8.5315
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥4.4748
800:¥3.3109
参考库存:46476
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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