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分立半导体
CGH60060D-GP4参考图片

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CGH60060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
高度
100 um
长度
2.86 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
4 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH60060D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STPS40M80CT
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Dual Schottky 80V 475mV Vf High Temp
1:¥28.4308
10:¥22.826
100:¥20.2835
250:¥18.7467
参考库存:9381
TK13A65U(STA4,Q,M)
Toshiba
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MOSFET N-Ch FET RDS .32Ohm Yfs 8.0s VDS 650V
暂无价格
参考库存:39094
TFZGTR30B
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稳压二极管 Diode Zener Single 28.415V 3% 500mW
3,000:¥0.51528
9,000:¥0.46104
24,000:¥0.43053
45,000:¥0.3842
99,000:¥0.36838
参考库存:39099
LLZ5227B
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 3v6
30,000:¥0.20001
50,000:¥0.1695
参考库存:39104
1SS193TE85LF
Toshiba
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Ultra High Speed 85V 300 mA 2A IFSM
暂无价格
参考库存:39109

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    50万现货SKU

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