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分立半导体
STGWT40H65FB参考图片

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STGWT40H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
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库存:48,891(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥19.5151
11709.06
1,200
¥16.5206
19824.72
3,000
¥15.6731
47019.3
5,400
¥15.0629
81339.66
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥3.9776
10,000:¥3.8307
参考库存:36068
分立半导体
整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
800:¥9.831
1,600:¥8.1473
3,200:¥7.5597
5,600:¥7.2885
参考库存:36073
分立半导体
桥式整流器 15A,200V,SINGLE INLINE BRIDGE
1,200:¥10.3734
3,600:¥9.6841
6,000:¥9.2999
参考库存:36078
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD80 MINIMELF-e2
12,500:¥0.84524
参考库存:36083
分立半导体
SCR Thyristors - TO-83/94 COM RD-e3
25:¥874.2132
50:¥861.7606
100:¥830.4822
参考库存:36088
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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