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分立半导体
2N3250A/TR参考图片

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2N3250A/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
100
¥91.9029
9190.29
200
¥83.7556
16751.12
500
¥78.3768
39188.4
1,000
¥71.8454
71845.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
直流电流增益 hFE 最大值
150 at 10 mA, 1 V
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
15 at 50 mA, 1 V
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2N3250A/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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