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分立半导体
SSM3K324R,LF参考图片

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SSM3K324R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
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1
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4.0002
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
56 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2.9 mm
系列
U-MOSVI
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
10.5 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3K324R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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