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分立半导体
TPN14006NH,L1Q参考图片

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TPN14006NH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W
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数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
5,000
¥2.3843
11921.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN14006NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格，TPN14006NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3168R
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100:¥31.0411
230:¥31.0411
500:¥27.8206
1,000:¥23.5153
2,500:¥22.2836
参考库存:42340

  • 海量现货

    50万现货SKU

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