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分立半导体
TK31E60X,S1X参考图片

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TK31E60X,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
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库存:10,212(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.9568
39.9568
10
¥32.1146
321.146
100
¥29.2783
2927.83
250
¥26.4307
6607.675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.7 A
Rds On-漏源导通电阻
73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK31E60X
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK31E60X,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2x 5A 200V Rectifier
1:¥12.9046
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.006
1,000:¥5.537
参考库存:8810
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肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-262-e3
1:¥13.221
10:¥10.9836
100:¥8.5315
500:¥7.4467
1,000:¥6.1698
参考库存:2697
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A 45V Trench Schott
1:¥3.5369
10:¥2.4973
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:42444
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双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:45556
分立半导体
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:33688
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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