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分立半导体
TPHR9003NL,L1Q参考图片

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TPHR9003NL,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
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数量单价合计
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15.5262
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
5,000
¥6.4975
32487.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPHR9003NL
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格，TPHR9003NL,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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10:¥153.5218
25:¥141.0805
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暂无价格
参考库存:28039

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    50万现货SKU

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