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分立半导体
TPN11006NL,LQ参考图片

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TPN11006NL,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
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数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥5.9212
59.212
100
¥3.8194
381.94
1,000
¥3.0623
3062.3
3,000
¥2.5764
7729.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN11006NL
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
7.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，TPN11006NL,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
K1300E70AP
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100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:51036
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参考库存:51051

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