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分立半导体
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FDM3622

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库存：31,655(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥9.0626
90.626
100
¥6.9043
690.43
500
¥6.1133
3056.65
3,000
¥4.2714
12814.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDM3622
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
FDM3622_NL
单位重量
210 mg
商品其它信息
优势价格，FDM3622的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTC143EQAZ
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTC143EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:26662
IPP65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥32.4988
10:¥27.5833
100:¥23.9786
250:¥22.7469
参考库存:1719
FD300R12KS4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 370A
1:¥1,032.1194
5:¥1,011.8246
10:¥964.6471
25:¥944.3636
参考库存:22823
2SC5108-Y,LF
Toshiba
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3786
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.84524
参考库存:10906
BZG03C270-HM3-08
Vishay
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥4.1471
10:¥3.1979
100:¥2.373
500:¥1.9549
1,500:¥1.3786
4,500:查看
参考库存:1893

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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