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分立半导体
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FGB20N60SFD

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数量单价合计
1
¥26.894
26.894
10
¥22.8938
228.938
100
¥19.8202
1982.02
250
¥18.8258
4706.45
800
¥14.2154
11372.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
83 W
系列
FGB20N60SFD
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FGB20N60SFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20792
45,000:¥0.1921
参考库存:43583

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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