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分立半导体
SSM3J332R,LF参考图片

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SSM3J332R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
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库存:604,585(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
144 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2.9 mm
系列
SSM3J332
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
5.7 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3J332R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 2400 Volt 2100 Amp
1:¥1,555.4676
5:¥1,518.0533
10:¥1,480.4017
25:¥1,459.6549
参考库存:42445
分立半导体
MOSFET T5 100V LL S08FL
1,500:¥16.0573
4,500:¥15.4471
参考库存:42450
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
1:¥28.4308
10:¥24.2046
100:¥20.9728
250:¥19.8993
参考库存:42455
分立半导体
分立半导体模块 1200 Volt 95 Amp 2094 Amp ITSM
1:¥356.9218
5:¥347.475
10:¥334.028
25:¥308.8968
参考库存:42460
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:5038
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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