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分立半导体
SSM6N15FE(TE85L,F)参考图片

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SSM6N15FE(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-ch 30V 0.1A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
SSM6N15
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N15FE(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 0,5A, 200V, SMF FAST RECOVERY
1:¥3.842
10:¥3.5369
100:¥2.2939
1,000:¥0.7684
1,800:¥0.63732
参考库存:24748
分立半导体
整流器 1A, 800V, GP FAST RECOVERY
1:¥3.616
10:¥3.2996
100:¥2.1357
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.59212
参考库存:24753
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20V 500MA 1005 SOD32 3F
1:¥3.0736
10:¥2.0453
100:¥1.2543
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:24758
分立半导体
整流器 3A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥3.1527
100:¥2.3617
500:¥1.7289
1,250:¥1.2995
2,500:¥1.1978
参考库存:24763
分立半导体
整流器 3A,300V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥2.1922
500:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.11418
参考库存:24768
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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