RN2118MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN2118MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	4.7
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2118
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	- 25 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VS-30WQ04FNTRL-M3	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 Schottky - D-PAK-e3	1:¥5.0737 10:¥4.0454 100:¥3.0736 500:¥2.5425 1,000:¥2.4069 3,000:¥2.1244	参考库存:30997
BZT52C9V1S-7-F	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 200mW 10V Zener AEC-Q101 Qualified	1:¥2.0792 10:¥1.3786 100:¥0.5763 1,000:¥0.40002 3,000:¥0.30736	参考库存:45804
2N6517TA	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial	1:¥2.9945 10:¥1.9888 100:¥0.82942 1,000:¥0.56839 2,000:¥0.44522	参考库存:87391
SI4431BDY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V	1:¥7.0738 10:¥5.8195 100:¥4.4748 500:¥3.842 2,500:¥3.842	参考库存:12243
DD171N12K-A	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	整流器 Rectifier Diode Module 1200V 171A	1:¥1,017.0565 5:¥997.0781 10:¥950.5899 25:¥930.6115	参考库存:2205