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分立半导体
STU6N62K3参考图片

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STU6N62K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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库存:41,521(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1416
3570.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.28 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STU6N62K3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU6N62K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥91.2814
10:¥82.1397
25:¥74.8399
100:¥67.5401
参考库存:4567
分立半导体
整流器 1.5A 1000V
1:¥5.4579
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
3,000:¥1.7741
6,000:查看
参考库存:61404
分立半导体
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
参考库存:4721
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥5.0737
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:28313
分立半导体
IGBT 模块 1200V 50A Dual
1:¥443.8301
5:¥435.6828
10:¥417.7045
25:¥404.6417
参考库存:4410
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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