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SCTH90N65G2V-7参考图片

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SCTH90N65G2V-7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-7 package
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V to 22 V
Qg-栅极电荷
157 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SCTH90N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格，SCTH90N65G2V-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS4936NT3G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.0792
参考库存:26687
BZW03C100-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 100 Volt 20W 6%
1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥5.989
2,500:¥4.407
5,000:查看
参考库存:26692
DMP21D0UFB-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET P-CH
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.70738
24,000:¥0.66105
参考库存:26697
GLL4753-E3/96
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 1.0W 10%
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,500:¥1.6724
4,500:查看
参考库存:26702
SI3465DV-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80 mohms @ 10V
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
3,000:¥1.8419
6,000:查看
参考库存:26707

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    50万现货SKU

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