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分立半导体
PD85035C参考图片

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PD85035C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans. LDMOST family
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数量单价合计
50
¥490.4652
24523.26
100
¥454.5086
45450.86
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.5 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243
封装
Bulk
配置
Single
高度
4.45 mm (Max)
长度
9.4 mm (Max)
工作频率
1 GHz
系列
PD85035C
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.1 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
108 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
商品其它信息
优势价格,PD85035C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.7628
500:¥1.4125
2,500:¥0.97632
5,000:查看
参考库存:29337
分立半导体
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:15754
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.5W 2%
1:¥1.921
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:150646
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.64523
1,000:¥0.44522
8,000:¥0.29945
24,000:查看
参考库存:37923
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8306
1,000:¥1.4125
2,500:¥1.2091
参考库存:21050
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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