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分立半导体
STD7N52DK3参考图片

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STD7N52DK3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 620V 0.98 ohm 6.2A SuperFREDmesh3
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数量单价合计
2,500
¥7.571
18927.5
5,000
¥7.2998
36499
10,000
¥7.0173
70173
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
商标名
SuperFREDmesh3
封装
Reel
系列
STD7N52DK3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel SuperFREDmesh3 Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格，STD7N52DK3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5233C-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.0 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:37536
BZX84C11-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.35W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:37541
TLZ6V2B-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5 Watt IR = 3uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:37546
TLZ6V2-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5 Watt IR = 3uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:37551
MMSZ4714-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:37556

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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