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分立半导体
STU2LN60K3参考图片

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STU2LN60K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3
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数量单价合计
1
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7.8422
10
¥6.667
66.67
100
¥5.1302
513.02
500
¥4.5313
2265.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
系列
STU2LN60K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.5 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU2LN60K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
4,000:¥0.48364
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10:¥1.3108
100:¥0.85315
1,000:¥0.28476
10,000:¥0.18419
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100:¥1.808
1,000:¥1.2656
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1:¥3.842
10:¥2.7685
100:¥1.6159
1,000:¥0.68365
7,500:¥0.47686
22,500:查看
参考库存:43779
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