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分立半导体
STW32NM50N参考图片

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STW32NM50N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
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数量单价合计
1
¥43.7197
43.7197
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1937
3219.37
250
¥30.51
7627.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
13.86 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
62.5 nC
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW32NM50N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
23.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
21.5 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW32NM50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:56054

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    50万现货SKU

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