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分立半导体
PD84006L-E参考图片

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PD84006L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
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库存:14,147(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥69.6984
69.6984
10
¥63.0088
630.088
25
¥60.0934
1502.335
100
¥52.1721
5217.21
3,000
¥38.1149
114344.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD84006L-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD84006L-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 20V 2A P-Channel
1:¥3.3787
10:¥2.5651
100:¥1.3899
1,000:¥1.04525
3,000:¥0.89948
参考库存:585755
分立半导体
SCR 15 A SCR
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
2,500:¥4.0454
10,000:查看
参考库存:21417
分立半导体
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:120719
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
参考库存:2256
分立半导体
MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
1:¥3.9211
10:¥3.2657
100:¥1.9888
1,000:¥1.5368
2,500:¥1.3108
参考库存:31623
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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