C2M0040120D详细参数_参考价格_C2M0040120D PDF资料_Wolfspeed / Cree

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	SiC
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-247-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	1.2 kV
Id-连续漏极电流	60 A
Rds On-漏源导通电阻	40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压	25 V, - 10 V
Qg-栅极电荷	283 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	330 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	21.1 mm
长度	5.21 mm
产品	Power MOSFET
晶体管类型	1 N-Channel
类型	Silicon Carbide Power MOSFET
宽度	16.13 mm
商标	Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值	13.2 S
下降时间	34.4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	52 ns
工厂包装数量	30
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	26.4 ns
典型接通延迟时间	14.8 ns
单位重量	38 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TZMC4V7-GS18	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 4.7 Volt 0.5 Watt 5%	1:¥1.2317 10:¥1.04525 100:¥0.44522 500:¥0.36838 10,000:¥0.16159 20,000:查看	参考库存:45654
2DB1132Q-13	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo	1:¥3.616 10:¥2.7233 100:¥1.4803 1,000:¥1.10627 2,500:¥0.95259 10,000:¥0.89157	参考库存:10126
FDMS7698_F065	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 30V 22A 10mOhms N-Ch PowerTrench	1:¥4.4522 10:¥3.6838 100:¥2.3843 1,000:¥1.921 3,000:¥1.6159	参考库存:13508
NSBA115EDXV6T1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP	1:¥2.6894 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 4,000:¥0.71416	参考库存:41280
PDTA123TM,315	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA	1:¥2.147 10:¥1.4464 100:¥0.60681 1,000:¥0.41471 10,000:¥0.27685 20,000:查看	参考库存:46282