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分立半导体
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IKD15N60RF

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数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,000
¥8.3733
8373.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD15N60RFATMA1 IKD15N6RFXT SP000939368
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IKD15N60RF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Ct Low Sat
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
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1,000:¥3.2318
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100:¥4.2827
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1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:17739
分立半导体
IGBT 模块
1:¥291.6869
5:¥281.8446
10:¥272.7029
25:¥252.1934
参考库存:1736
分立半导体
整流器 Turbo II Ultrafast High Rectifier
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:30113
分立半导体
整流器 H ULTRAFAST DIODE
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
5,000:¥1.4238
参考库存:28715
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    50万现货SKU

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