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分立半导体
CSD25402Q3A参考图片

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CSD25402Q3A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET P-CH Pwr MOSFET
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库存:484,989(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.537
55.37
100
¥4.2488
424.88
500
¥3.7629
1881.45
2,500
¥2.6329
6582.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
76 A
Rds On-漏源导通电阻
8.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD25402Q3A
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,CSD25402Q3A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 500mW 22V 600 Ohm 0.1 uA 17 Vr
10,000:¥0.14577
20,000:¥0.13786
50,000:¥0.12317
100,000:¥0.09944
参考库存:52501
分立半导体
桥式整流器 4A, 600V, G.P., INLINE BRIDGE RECTIFIER
1:¥8.0682
10:¥7.458
100:¥5.7291
500:¥4.2488
1,000:¥3.1414
参考库存:52506
分立半导体
整流器 2A, 300V, 35NS, RECTIFIER
1:¥5.3788
10:¥4.9155
100:¥3.2092
1,000:¥1.07576
3,500:¥0.88366
参考库存:52511
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A,35V,SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.3733
10:¥7.458
25:¥6.6896
100:¥5.8647
800:¥3.5934
2,400:查看
参考库存:52516
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,200V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.3733
10:¥7.458
25:¥6.6896
100:¥5.8647
800:¥3.5934
2,400:查看
参考库存:52521
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    50万现货SKU

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