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分立半导体
SIR470DP-T1-GE3参考图片

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SIR470DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:41,808(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥18.0574
180.574
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2944
6147.2
1,000
¥11.9102
11910.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
190 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SIR814DP-T1-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR470DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Power MOSFET P-Channel -30 V
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
3,000:¥4.0454
9,000:查看
参考库存:28041
分立半导体
稳压二极管 13 Volt 1.5W 5%
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,200:¥1.4125
参考库存:28046
分立半导体
整流器 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
1:¥7.91
10:¥6.5201
100:¥5.0059
500:¥4.3053
1,000:¥3.7742
参考库存:28051
分立半导体
稳压二极管 160 Volt 600W 6%
5,000:¥1.5368
25,000:¥1.5368
参考库存:28056
分立半导体
MOSFET MOSFET
3,000:¥2.4408
参考库存:28061
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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