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STQ1NK80ZR-AP参考图片

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STQ1NK80ZR-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A
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¥5.4579
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¥4.4974
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100
¥2.9041
290.41
1,000
¥2.3278
2327.8
2,000
¥1.9662
3932.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
16 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Ammo Pack
高度
4.95 mm
长度
4.95 mm
系列
STQ1NK80ZR-AP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.94 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格，STQ1NK80ZR-AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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