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分立半导体
SQ3419EV-T1_GE3参考图片

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SQ3419EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
6.9 A
Rds On-漏源导通电阻
48 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格，SQ3419EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST330S12P1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO-118 COMP RND-e3
6:¥1,418.0822
12:¥1,382.8149
30:¥1,363.4467
参考库存:45772
SMPZ3922B-M3/85A
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 1.5watt 7.5volt 5%
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.86106
参考库存:45777
NVMFS6H858NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1,500:¥7.4354
4,500:¥7.1642
9,000:¥6.8817
参考库存:45782
QK025R6TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 1000V 25A 80-80-80mA
500:¥19.3682
参考库存:45787
SE15PJ-M3/85A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600 Volt 1.5 Amp ESD Capability
10,000:¥0.68365
20,000:¥0.62263
参考库存:45792

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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