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分立半导体

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FGD3245G2-F085

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数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
2,500
¥6.4184
16046
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252AA-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—射极饱和电压
1.64 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGD3245G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
13 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
FGD3245G2_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FGD3245G2-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZM55B3V9-TR3
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.5W 2%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:52293
DTC115EKAT146
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:35565
TK9A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
1:¥17.8992
10:¥14.4414
100:¥12.9837
500:¥10.0683
参考库存:23454
BLV31
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:2312
BZT52C22-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 500mW 22V
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:17129

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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