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分立半导体
STGB19NC60KDT4参考图片

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STGB19NC60KDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
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数量单价合计
1
¥37.4256
37.4256
10
¥31.8095
318.095
100
¥27.5833
2758.33
250
¥26.2047
6551.175
1,000
¥19.8202
19820.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB19NC60KDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
35 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB19NC60KDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥1.5368
10:¥1.09836
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:86454
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 0.5W 5%
1:¥1.6159
10:¥1.3786
100:¥0.58421
500:¥0.48364
3,000:¥0.27685
6,000:查看
参考库存:42561
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 51A 13.5mOhm 24nC LogLvl
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6048
500:¥4.9607
800:¥3.9211
参考库存:10178
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K 10K
1:¥1.7628
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:43555
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR DUAL 45V
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:24747
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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