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分立半导体
IRF8788TRPBF参考图片

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IRF8788TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
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库存:104,995(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
1,000
¥4.181
4181
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
3.04 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
95 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
SP001565728
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,IRF8788TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SBN SSP SOT223 NPN
1:¥4.2262
10:¥3.4578
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
2,000:¥1.3899
参考库存:533245
分立半导体
整流器 200V 1A UltraFast
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
5,000:¥0.75258
参考库存:414787
分立半导体
MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.8138
2,500:¥3.3674
10,000:查看
参考库存:163699
分立半导体
MOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
1:¥4.068
10:¥3.3787
100:¥2.0566
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:134601
分立半导体
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
1:¥35.5724
10:¥28.589
100:¥23.4362
500:¥21.131
参考库存:18928
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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