CSD86360Q5D详细参数_参考价格_CSD86360Q5D PDF资料_Texas Instruments

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LSON-CLIP-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	25 V
Id-连续漏极电流	50 A
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压	8 V
Qg-栅极电荷	9.7 nC, 23 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	13 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.5 mm
长度	6 mm
系列	CSD86360Q5D
晶体管类型	2 N-Channel
类型	Synchronous Buck MOSFET Driver
宽度	5 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	113 S, 169 S
下降时间	4.3 ns, 6.6 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	20.4 ns, 14.8 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	14.5 ns, 29.3 ns
典型接通延迟时间	8.4 ns, 9.5 ns
单位重量	170 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MBR0520LT3G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 0.5A 20V	1:¥2.4634 10:¥1.6837 100:¥0.70738 1,000:¥0.47686 10,000:¥0.32318 20,000:查看	参考库存:338641
SIA519EDJ-T1-GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70	1:¥4.8364 10:¥3.7516 100:¥2.7798 500:¥2.2939 1,000:¥1.7628 3,000:¥1.7628	参考库存:124153
NX2301P,215	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET P-CH -20 V -2 A	1:¥3.1527 10:¥1.9888 100:¥0.85315 1,000:¥0.66105 3,000:¥0.49946	参考库存:710350
MB14S-TP	Micro Commercial Components (MCC)	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 1A, 40V Schottky rectifier,	1:¥4.3053 10:¥2.8702 100:¥1.9323 500:¥1.5933 3,000:¥1.06785 6,000:查看	参考库存:92372
FERD30M45CG-TR	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	整流器 ST advancd rectifier 45V 0.35Vf +175	1:¥18.5998 10:¥15.7522 100:¥12.5995 500:¥11.0627 1,000:¥9.1417	参考库存:11589