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分立半导体
RN4985,LF(CT参考图片

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RN4985,LF(CT

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 200mW TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.5989
59.89
1,000
¥0.4068
406.8
3,000
¥0.30736
922.08
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Dual
晶体管极性
NPN, PNP
典型输入电阻器
2.2 kOhms
典型电阻器比率
0.0468
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
US-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
最大工作频率
250 MHz, 200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN4985
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
商标
Toshiba
通道数量
2 Channel
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，RN4985,LF(CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP21D0UT-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:63400
PMEG4010EJ,115
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 40V 1A
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:498987
STW40NF20
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET Low charge STripFET
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
500:¥19.436
参考库存:8954
STGW40H60DLFB
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 40A trench gate field-stop IGBT
1:¥29.4252
10:¥25.0521
100:¥21.6734
250:¥20.5886
参考库存:5341
MBRB3045CT-E3/81
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45 Volt 30A Dual Common-Cathode
1:¥14.8256
10:¥12.2944
100:¥9.5259
500:¥8.3733
800:¥8.3733
参考库存:7248

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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