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分立半导体
STGW60H65DRF参考图片

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STGW60H65DRF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
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1
¥68.6927
68.6927
10
¥62.0822
620.822
25
¥59.1668
1479.17
100
¥51.4037
5140.37
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
360 W
系列
STGW60H65DRF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，STGW60H65DRF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N1199AR
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