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分立半导体
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PTFC261402FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥646.5295
161632.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
18 dB
输出功率
140 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFC261402FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRGP66524D0
Infineon / IR
分立半导体
IGBT 晶体管 600V COOLiRIGBT
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.172
100:¥43.5728
参考库存:6385
STF12N120K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥74.0715
10:¥66.9299
25:¥63.8563
100:¥55.4039
参考库存:8387
VS-GP400TD60S
Vishay Semiconductors
分立半导体
IGBT 晶体管 Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
1:¥1,174.7254
参考库存:4499
STP10N95K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:9141
PBHV9040TVL
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
10,000:¥1.02943
20,000:查看
参考库存:54393

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    50万现货SKU

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