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PTVA092407NF-V1-R5

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¥548.8636
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
增益
22 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HBSOF-4-1
封装
Reel
工作频率
869 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:47387

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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