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分立半导体
A3G20S250-01SR3参考图片

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A3G20S250-01SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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数量单价合计
1
¥725.8329
725.8329
5
¥702.3967
3511.9835
10
¥688.3282
6883.282
25
¥644.9927
16124.8175
100
¥622.7882
62278.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN Si
Id-连续漏极电流
250 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18.2 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G20S250
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935377832118
商品其它信息
优势价格，A3G20S250-01SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMAZ5943B-E3/5A
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 56 Volt 1.5 Watt 5%
7,500:¥0.78422
22,500:¥0.71416
参考库存:53805
1N5354BE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥14.4414
6,000:¥13.221
参考库存:53810
VS-40HFL80S05M
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥167.8163
300:¥154.0642
500:¥146.6062
参考库存:53815
1N5941E3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
参考库存:53820
VS-ST230C14C0L
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - A-PUK
12:¥539.4168
36:¥521.9696
60:¥515.054
108:¥487.2447
参考库存:53825

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    50万现货SKU

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