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分立半导体
BZD27B6V2P-E3-18参考图片

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BZD27B6V2P-E3-18

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数量单价合计
50,000
¥0.72207
36103.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
稳压二极管
RoHS
Vz - 齐纳电压
6.2 V
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-219AB-2
Pd-功率耗散
2300 mW
电压温度系数
0.06 %/C
齐纳电流
5 uA
Zz - 齐纳阻抗
2 Ohms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
配置
Unidirectional
测试电流
100 mA
资格
AEC-Q101
封装
Reel
系列
BZD27B
高度
1.08 mm
长度
3.9 mm
宽度
1.9 mm
商标
Vishay Semiconductors
Ir - 反向电流
5 uA
产品类型
Zener Diodes
工厂包装数量
10000
子类别
Diodes & Rectifiers
商标名
eSMP
Vf - 正向电压
1.2 V
商品其它信息
优势价格,BZD27B6V2P-E3-18的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.95MO
1,500:¥1.8984
3,000:¥1.8984
9,000:¥1.8306
24,000:¥1.7628
49,500:¥1.7289
参考库存:27564
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.616
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
6,000:¥0.85315
12,000:查看
参考库存:27569
分立半导体
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:27574
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:27579
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9382
5,000:¥4.859
10,000:查看
参考库存:27584
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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