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STW75N60M6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in TO-247 package
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
106 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW75N60M6
晶体管类型
1 N Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，STW75N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N973B-1
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455:¥15.6731
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥241.5827
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CDLL5229B
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329:¥21.5943
500:¥19.21
1,000:¥16.2155
2,500:¥15.4471
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JAN2N5582
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
105:¥74.9981
250:¥68.93
500:¥62.8506
1,000:¥54.7146
参考库存:43325

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    50万现货SKU

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