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分立半导体
PD85035STR1-E参考图片

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PD85035STR1-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
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库存:56,439(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥181.8057
109083.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85035STR1-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
1:¥5.9212
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
1,500:¥2.147
参考库存:18387
分立半导体
稳压二极管 64-72Vz(V) 2Iz(mA) 0.2 Ir(uA) 52Vr(V)
1:¥1.8419
10:¥1.2656
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:21169
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:3021
分立半导体
稳压二极管 150 Volt 600W 6%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
5,000:¥1.6724
10,000:查看
参考库存:130148
分立半导体
MOSFET SINGLE PT8 N 30/20V SSOT6
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:9970
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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