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分立半导体

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APTGLQ100A120T3AG

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:55,539(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥728.3641
728.3641
5
¥704.8488
3524.244
10
¥682.8816
6828.816
25
¥650.993
16274.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
185 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
650 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGLQ100A120T3AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:17199
分立半导体
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8
1:¥7.91
10:¥7.0286
25:¥6.3506
100:¥5.5596
参考库存:27796
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB
1:¥21.131
10:¥17.515
100:¥13.6052
500:¥11.9102
参考库存:22798
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.6105
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
5,000:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:77730
分立半导体
MOSFET 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
参考库存:51412
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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