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分立半导体
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STWA75N60M6

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库存：6,007(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥87.7558
87.7558
10
¥79.3712
793.712
25
¥75.6874
1892.185
100
¥65.6982
6569.82
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
106 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STWA75N60M6
晶体管类型
1 N Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
优势价格，STWA75N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
2,500:¥3.1527
参考库存:19846
MBR10100CDTR-G1
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
暂无价格
参考库存:44900
BUK9609-75A,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
800:¥6.9156
参考库存:44905
A2C50S65M2
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥405.7943
5:¥396.7204
10:¥378.5952
25:¥362.6848
参考库存:44910
AFT26HW050SR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
1:¥607.262
5:¥589.5888
10:¥576.9893
25:¥552.7056
250:¥490.081
参考库存:44915

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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