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分立半导体
BSC011N03LSIXT参考图片

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BSC011N03LSIXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
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库存:53,052(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥5.7517
28758.5
10,000
¥5.5257
55257
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
6.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
零件号别名
BSC011N03LSIATMA1 SP000884574
商品其它信息
优势价格,BSC011N03LSIXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.831
10:¥8.0682
100:¥6.1924
500:¥5.3223
3,000:¥3.9211
6,000:查看
参考库存:31056
分立半导体
IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 150A
1:¥527.5857
5:¥517.8225
10:¥504.4546
25:¥494.5445
参考库存:1328
分立半导体
MOSFET N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92
暂无价格
参考库存:48304
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V VR 5A 0.68 VF TO-263S(D2PAK);SC-83
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0794
500:¥5.3675
1,000:¥4.2375
参考库存:6065
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8478
5,000:¥4.7912
10,000:查看
参考库存:26067
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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